FDD4N60NZ دیتاشیت

FDD4N60NZ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FDD4N60NZ
حجم فایل 329.273 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت FDD4N60NZ

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

FDD4N60NZ 10 pages

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: UniFET-II™
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.7A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: DPAK
  • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Part Number: FDD4
  • detail: N-Channel 600V 3.4A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount DPAK

محصولات مشابه